E-beam evaporation
電子束蒸發屬于物理氣相沉積的一種，與傳統蒸發方式不同，電子束蒸發是利用電磁場的配合，精確實現利用高能電子轟擊坩堝中的靶材，使其熔化然后沉積在基片上，可以沉積高純度、高精度的薄膜。
電子束蒸發是利用加速電子轟擊鍍膜材料，電子的動能轉化為熱能，使鍍膜材料加熱蒸發、形成薄膜。電子槍分為直式、環式和E型。電子束加熱蒸發的特點是能獲得極高的能量密度，可達109w/cm2，加熱溫度可達3000-6000℃。可蒸發難熔金屬或化合物；蒸發材料置于水冷坩堝中，避免坩堝材料受污染。電子束蒸發沉積可制備高純度薄膜。在同一蒸發沉積裝置中可放置多個坩堝，實現多種不同物質的同時或分別蒸發沉積。大多數材料都可用電子束蒸發法進行蒸發。
電子束蒸發可以蒸發高熔點材料，比一般電阻加熱蒸發具有熱效率高、束流密度大、蒸發速度快等特點，制備的薄膜純度高、質量好，厚度可精確控制，可廣泛應用于高純薄膜、導電玻璃等各種光學材料薄膜的制備。
電子束蒸發常用于制備Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物薄膜，SiO2、ZrO2薄膜以及耐腐蝕、耐高溫的氧化薄膜。
從功能上來說，電子束鍍膜技術有以下特點：
I）高精度鍍膜：可以實現薄膜厚度和成分的精確控制，從而制備具有特定性能的薄膜。
2）可調節性強：薄膜的物理、化學性質可以輕松調整，以滿足不同應用的需要。
3).薄膜質量高：制備的薄膜均勻性、致密性、穩定性好。
4）適用范圍廣：適用于多種材料的鍍膜，包括金屬、半導體、氧化物等。
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