ALD
原子層沉積 (ALD) 是一種基于高精度化學氣相沉積 (CVD) 的工藝。薄膜沉積技術這是一種基于化學氣相在基材表面上逐層沉積單原子膜材料的技術。將兩種或多種前體化學品逐一引入基材表面，每種化學品均含有被沉積材料的不同元素。每種前體都會浸透基材表面，形成單層材料。
ALD的生長原理與傳統的化學氣相沉積（CVD）類似，但在ALD中，反應前驅體在沉積過程中交替沉積，新層原子的化學反應與前一層直接相關，每次反應只沉積一層原子。具有自限生長特性，使薄膜可以保形地、無針孔地沉積到基片上。因此可以控制沉積循環次數，實現對薄膜厚度的精確控制。
原子層沉積技術特點及優勢
精度高。通過控制反應周期可以方便、精確地控制基片的厚度，薄膜厚度可以精確到原子的厚度。
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